2025年1月15日，上海爻火微电子有限公司获得一项重要专利，题为“NMOS开关的驱动电路与电子设备”，授权公告号CN114301280B。从申请时间来看，该专利是在2021年12月首次递交的，反映出该公司在高科技领域持续的研发投入和创新能力。成立于 ...

在半导体技术迅速发展的今天，长鑫存储技术有限公司近日申请了一项重要专利，旨在推进行业内的技术创新。该专利名为“半导体结构的制备方法及半导体结构”，其核心在于有效降低NMOS和PMOS的阈值电压。这项技术的突破不仅为长鑫存储本身的发展奠定了基础，也将对整个智能设备行业产生深远影响。

Buck开关电路中，通常使用NMOS来作为开关管。我们知道，相比PMOS，NMOS在导通电阻、价格方面都比较有优势。 在同步结构中，MOS管作为开关管可以有 ...